BD半岛·体育中微半导体根据不同电机应用需求,匹配各种IGBT以及MOSFET,推出高度可靠的驱动器,确保在各种方案应用中,IGBT或者MOSFET保持最佳工作状态,实现最佳的整机效率。
600V单相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护
200V三相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护
介绍了CMS6971B产品概述、管脚分布半岛bob综合登入半岛bob综合登入、系统框图、性能指标、典型应用电路图半岛bob综合登入、封装信息等
180V三相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护
介绍了CMS6164D产品概述半岛bob综合登入、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等
介绍了CMS6401产品概述、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等
介绍了CMS6971C产品概述、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等
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