BD半岛·体育N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素bob半岛在线登录,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用,因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置bob半岛在线登录,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子bob半岛在线登录bob半岛在线登录,自由电子为少子,主要靠空穴导电bob半岛在线登录。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
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