半岛台积电申请半导体结构及其制造方法专利提供了半导体结构及其制造方法

　　BD半岛·体育金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法“，公开号CN117878059A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，提供了半导体结构及其制造方法。该方法包括：形成第一沟道结构和第二沟道结构，并形成附接至第一沟道结构的相对侧的第一类型的源极/漏极结构和附接至第二沟道结构的相对侧的第二类型的源极区/漏极结构半岛半岛。该方法还包括：形成具有覆盖第一沟道结构的第一部分和覆盖第二沟道结构的第二部分的第一栅极介电层半岛，并将第一金属元素驱动到第一栅极介电层的第一部分中。该方法还包括：在第一栅极介电层的第一部分和第二部分上方形成盖层半岛半岛，并对盖层下方的第一栅极介电层执行退火工艺。