西安电子BD半岛·体育科技大学广研院第三代半导体创新中心攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术

　　BD半岛·体育近期，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。

　　研发成果8英寸GaN电力电子芯片以Report of GaN HEMTs on 8-in Sapphire为题发表在高水平行业期刊IEEE Transactions on Electron Devices上，并被国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today专题报道（）。该研究在国际上首次证明了8英寸蓝宝石基GaNHEMTs晶圆量产的可行性BD半岛·体育，并打破了传统GaN技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压BD半岛·体育、低成本的国际难题BD半岛·体育，将有望推动≥1200 V中高压氮化镓电力电子技术实现变革。

　　据悉，团队成员受邀分别在2024年第26届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会（CICD）、2024武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上作大会报告和特邀报告BD半岛·体育，展示了相关研究成果BD半岛·体育，得到了与会同行的高度关注。

　　西安电子科技大学马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步一等奖

　　历史性突破！西安电子科技大学集成电路学部马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科技进步一等奖

　　电子科大李雷达教授团队在CVPR NTIRE 2024的DXOMARK肖像质量评估挑战赛中获得冠军

　　工信部对《锂离子电池行业规范条件》《锂离子电池行业规范公告管理办法》进行修订

　　工信部对《锂离子电池行业规范条件》《锂离子电池行业规范公告管理办法》进行修订