BD半岛·体育据天岳先进董事长宗艳民介绍,相较于传统半导体材料,第三代半导体材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。第三代半导体在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。在技术、市场与政策驱动下,近年来国内涌现出多家第三代半导体领域的龙头公司。
作为专注于功率半导体的IDM公司,华润微早在多年前就布局了第三代半导体。华润微总裁李虹表示,公司目前6英寸的碳化硅和氮化镓晶圆线均已稳定量产,如碳化硅JBSBD半岛·体育、碳化硅MOS能比肩国际先进水平,向在工业和汽车领域的较多标杆客户批量出货。
芯联集成同样积极布局第三代半导体。据公司总经理赵奇介绍,2024年公司还将建成国内首条8英寸碳化硅MOSFET产线,该业务对公司营业收入的贡献还将持续快速提升。
“自成立以来,天岳先进集中精力做好一件事,就是要把材料做出来,能够产业化,还要赶超海外。目前这个目标我们已经做到了。”宗艳民表示。
目前,全球第三代半导体行业整体处于起步阶段,并正在加速发展。与会嘉宾纷纷表示,相比硅基半导体,我国在第三代半导体领域和国际上处于同一起跑线,有望实现“换道超车”。李虹认为,从事碳化硅衬底和外延的国内头部厂家从产量、质量上已经接近国际先进水平,未来基于规模化、良率提升等成本进一步下降,将非常具有竞争力。
赵奇亦表达了相似观点,在器件领域,国内企业碳化硅二极管、氮化镓器件都已实现国产化,未来进口替代数量将进一步提升。
从材料端来看,天岳先进在半绝缘衬底、车规级衬底应用已经走在前列。宗艳民表示:“目前碳化硅衬底不仅能够满足国内需求,而且还实现了向海外输出。”
对于“碳化硅产业能否实现实质性突破”一问,与会嘉宾坦言“仍存在不小挑战”,其根本在于性价比能否优于IGBT。赵奇认为,只有当碳化硅器件的成本达到对应IGBT器件成本的2.5倍以下时,才是碳化硅器件大批量进入商业化应用的时代。衬底、外延、器件生产的良率不断提升,是需要整个产业链通力合作的一个重要降成本方向。
“相较于硅基材料,第三代半导体的制造难度大幅提升BD半岛·体育,缺陷率也明显更高。另外在封装阶段,围绕碳化硅特性的新封装材料和封装工艺仍在探索和攻关。”李虹进一步呼吁,“产业链上下游需要通力合作,尽最大的努力缩短并赶超国际水平。”
为进一步整合上下游资源,提升市场竞争力,行业头部公司正在加紧产业布局,与会嘉宾也积极倡议产业政策加大对上下游合作的支持。宗艳民提出,希望政府能够继续引导产业链上下游加强合作,共同构建我们国家第三代半导体的竞争优势。
对于未来市场需求和增长空间,与会嘉宾均认为第三代半导体属于蓝海市场。李虹判断,碳化硅市场目前正处于成长期:一是碳化硅主要的应用市场正处于快速发展期;二是碳化硅、氮化镓由于其高压高温高频特性,在很多应用领域逐步替代硅基产品的市场份额,可以预期,未来一两年碳化硅功率器件市场将有质的变化。
赵奇分析了未来碳化硅器件四个主要的应用场景,分别是新能源车的主驱逆变器、车载充电机BD半岛·体育、光伏/风力电站和储能的逆变器、大于万伏的超高压输配电BD半岛·体育。其认为,电动车800V超充技术升级后,2024年会是碳化硅器件大量使用到车载主驱逆变器的一年。
谈及未来产业格局和市场博弈焦点,赵奇表示,“国内第三代半导体产业正在从‘春秋时代’进入‘战国时代’,一定会出现激烈竞争,这也是产业成熟化的必由之路。市场博弈的焦点会是技术领先性、技术创新能力、规模大小、性价比。”
处于产业链上游的天岳先进,对于市场需求的爆发有着直观的感受。宗艳民表示:“目前英飞凌、博世等海外头部企业的扩产力度很强。期待国内的制造厂商持续加大扩产力度,抓住行业发展的机遇,巩固中国市场的优势BD半岛·体育。”
李虹同样认为:“目前入局第三代半导体的企业众多,大家都在积极努力往产业化的道路上耕耘。对于第三代半导体的前景和未来,公司充满信心。”
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